三星推出UFS 2.0标准128GB闪存芯片，或用于Galaxy S6

三星昨日宣布推出了业内首款UFS 2.0标准的128GB闪存芯片，随机读取速度达到19000 IOPS，是eMMC 5.0的2.7倍（7000 IOPS），随机写入速率高达14000 IOPS，是一般外置存储卡的28倍。

持续读写速度方面，三星没有公布具体的数据，但表示已经接近普通SSD的水平了，同时功耗能降低50%。此外，该闪存还采用了嵌入式堆叠封装（ePoP）技术，可直接堆叠在逻辑芯片上，节省约50%的空间。

该闪存有32、64以及128GB三种容量可选，传统的16GB已经不见踪影了。可以预见的是，它未来很有可能成为旗舰产品的标配（处理器需要支持UFS标准），在即将到来的Galaxy S6上我们很有希望看到它。